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[18p-P14-8] 界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の2次元評価
キーワード:SiC、MIS構造、界面顕微光応答法
界面顕微光応答法によりNi/SiN/n-SiC MIS構造の電圧印加による劣化過程を評価した。電圧印加前のNi電極では、均一な光電流像が得られた。順方向電圧30 V印加後、顕微鏡像でNi表面に平坦ではない領域がみられた。その領域で電圧印加前に比べ光電流が約3倍に増加し、顕微鏡像と同じパターンがみられた。界面顕微光応答法は電圧印加によるMIS構造の劣化の評価に適していることを示した。