水素イオン注入援用によるシリコンにイオン注入したボロン原子の低温活性化

10:30 〜 10:45

[19a-C101-6] 水素イオン注入援用によるシリコンにイオン注入したボロン原子の低温活性化

〇永尾友一¹、井内裕¹、立道潤一¹、安田圭佑²、上原拓磨²、蓮見真彦²、鮫島俊之² (1.日新イオン機器、2.東京農工大工)

キーワード：イオン注入、低温活性化

イオン注入したドーパントの低温活性化は、ガラス基板上に作製する薄膜トランジスタ（TFT）等半導体素子の低温作製技術開発にとって必須の課題である。我々は、ドーパントであるBイオンを注入する前に、予めHイオンを注入して結晶欠陥を形成しておくことにより、Bの低温活性化を試みた。