[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-C302-10] 高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価

〇前川 順子¹、川野輪 仁¹、青木 正彦¹、高廣 克己²、一色 俊之² (1.㈱イオンテクノセンター、2.京都工芸繊維大学)

キーワード：窒化ガリウム、高温イオン注入、積層欠陥

窒化ガリウム（GaN）におけるドーピング技術において、Siがn-型の不純物としてイオン注入によって導入されている。しかしp-型においては、イオン注入に関して技術が確立されていない。これまでにSiCにおいて高温イオン注入技術が利用されており、結晶性が評価されてきた。我々はこの高温イオン注入技術をGaNに適用した場合にGaN基板の結晶性がどのように変化するかを調べた。