[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ

〇(B)青島 慶人¹、鐘ヶ江 一孝²、堀田 昌宏²、須田 淳^2,3,4 (1.名大工、2.京大院工、3.名大未来研、4.名大院工)

キーワード：GaN、ガンマ線、深い準位

本研究では、ホモエピタキシャル成長した低転位(~10⁶ cm^-2) GaNに対してガンマ線を照射し、電気的特性評価を行うことで、ガンマ線によってGaN中に形成されるトラップの特定、その生成レートの解明を行うとともに、いまだに統一的な見解が得られていないas-grown GaNにおいて観測される点欠陥の起源を突き止める手掛かりを得ることを目的としている。今回は、ガンマ線によってn型GaNに形成される電子トラップをDLTSにより評価したので報告する。