2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 C204 (52-204)

林 久貴(東芝)、木原 嘉英(東京エレクトロン宮城)

14:00 〜 14:15

[19p-C204-2] 中性粒子ビームとバイオテンプレートを用いた高アスペクト比Siナノピラー構造の作製

大堀 大介1、遠藤 和彦1,3、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研)

キーワード:ナノピラー、中性粒子ビーム加工

IV族ナノワイヤ(NWs)やナノピラー(NPs)構造は、高速トランジスタ設計や熱電変換材料のナノ構造の応用へ期待されている。トップダウン加工技術を用いた NPs作製において、小さな直径における高いアスペクト比を実現することは、マスク技術および高精度なエッチング技術が必要となる。そこで本研究では、高さ100 nmを超えるSi NPs構造を作製し、そのアスペクト比依存性について議論することを目的とする。