[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-C302-8] Electron Transport in GaN/InN Superlattice Channel HEMT

〇(M1)Tomoki Hoshino¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, HEMT, Monte Carlo

AlGaN/InGaN/GaN HEMTは，電子の有効質量が軽いことから，移動度の向上が期待される．しかし，InGaNは合金であり，合金散乱やランダム双極子散乱により，移動度が低下する可能性がある．本研究では，チャネル層のInGaN合金をGaN/InN超格子(SL)に置き換えたHEMTの電子移動度を，モンテカルロ法を用いて解析した．その結果，超格子チャネルHEMTでは，チャネル層における合金散乱およびランダム双極子散乱が無視でき，移動度が向上することがわかった．