[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-12] m面サファイア基板上に作製したalpha-(Al,Ga)₂O₃​バッファ層上へのalpha-Ga₂O₃​薄膜の作製と構造評価

〇(M1)関山 尊仁¹、太田 勝也¹、赤岩 和明¹、阿部 友紀¹、四戸 孝²、市野 邦男¹ (1.鳥大工、2.FLOSFIA)

キーワード：結晶成長、酸化物半導体、酸化ガリウム