[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-24] Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリの室温作製

〇杉崎 澄生¹、田中 遼¹、倉崎 彩太¹、松田 時宜¹、木村 睦¹ (1.龍谷大理工)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、抵抗変化型メモリ、Ga-Sn-O

我々はアモルファス酸化物半導体としてレアメタルを含ず、トランジスタ動作が確認されているGa-Sn-O(GTO)に着目した。
GTOでメモリを作製することによりトランジスタとメモリを搭載したフレキシブルデバイスの作製が可能となる。
本研究ではAl/GTO/Alセル構造のクロスポイント型、抵抗変化型メモリを作製し400回の繰り返し特性を得ることができた。