[20a-B403-1~10] 7.5 Ion beams

[20a-B403-3] Surface activated bonding with low-damege processing using gas cluster ion beam

〇(M1)Shota Ikeda¹, Noriaki Toyoda¹ (1.Hyogo Univ.)

Keywords:gas cluster ion beam, Surface activation bonding

ArイオンやAr-FABの替わりに、原子や分子が数十から数百個集合(クラスター)した原子集団をイオン化・加速し、試料表面に照射するGCIBを用いて、低損傷表面活性化接合を検討している。本研究では、InP単結晶基板にGCIBを斜入射で照射し、照射条件による損傷の違いについて評価し、低損傷表面活性化接合を検討した。