[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-D103-9] ALDによるSiNx層を用いた4H-SiC Si面上のゲート絶縁膜の検討

〇熊澤 輝顕¹、岡本 光央¹、飯島 美和子¹、岩橋 洋平²、藤掛 伸二¹、荒岡 幹³、俵 妙¹、木村 浩³、原田 信介¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.トヨタ自動車、3.富士電機)

キーワード：SiC、MOS、ALD