[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20a-E201-7] ウェットエッチングを用いたβ-Ga₂O₃ (100)基板表面のSi不純物除去

〇李 政洙¹、若林 諒¹、吉松 公平¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム

次世代のパワーデバイス用材料として注目を集めている酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)は，基板表面に存在するSi由来の不純物の除去が解決すべき課題となっている．今回我々はウェットエッチング処理を基板に行い，Si不純物の除去を試みた．また，エッチング処理を行った基板上にβ-Ga₂O₃薄膜を作製し，表面平坦性や不純物濃度を明らかにした．