[20a-E201-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-E201-8] Crystal Orientation of NiO Thin Films Formed on β-Ga₂O₃ Substrates

〇Shinji Nakagomi¹, Takashi Yasuda¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu Univ.)

Keywords:Ga2O3, NiO, orientation

我々は、(100) β-Ga₂O₃基板上に形成した(001)配向NiO薄膜について既に報告している。本研究では、 (-201)面と(010)面のβ-Ga₂O₃基板上にゾル－ゲル法によりNiO薄膜を形成し、この両者間の結晶配向関係について総合的に検討を行った。β-Ga₂O₃基板が異なってもNiO [011] (100) ‖ β-Ga₂O₃ [001] (100)の位置関係が保たれてNiO配向膜が形成されていることが分かった。