2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月20日(火) 13:45 〜 16:45 C101 (52-101)

米谷 玲皇(東大)

14:00 〜 14:15

[20p-C101-2] ミニマルCVD装置における製膜プロセス観察方法

室井 光子1、松尾 美弥1、〇羽深 等1、三ケ原 孝則2,3、池田 伸一2,3、石田 夕起2,3、原 史朗2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード:ミニマルファブ、エピタキシャル成長、成長過程

ミニマル・ファブに用いられる化学気相堆積(CVD)装置についてシリコンエピタキシャル製膜を対象として開発を進めてきた。本研究では、製膜プロセスの様子を把握するために排出ガス系に水晶振動子を設置し、トリクロロシラン-水素混合ガスの挙動を観察する方法を試みたので、詳細を報告する。