[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-3] Thin Gate Oxidation Process Using a Minimal Focused Light Heating Furnace

〇Noriko Miura^1,3, Norio Umeyama^1,2, Takeshi Yamada^1,3, Takeshi Aizawa^1,3, Shinihi Ikeda^1,2, Yuuki Ishida^1,2, Takanori Mikahara^1,2, Yasuhiro Onishi^1,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.YONEKURA)

Keywords:minimal, thermal oxidation, furnace

MOSトランジスタの基本性能はゲート酸化膜/Si界面の清浄度や熱酸化膜の膜質に左右されるため、薄膜になるほど初期酸化時の膜質の向上が求められる。一方、薄い熱酸化膜厚を精密に制御するためには熱酸化の低温化が有効であるが、低温化による膜質の劣化が懸念される。我々は密閉式チャンバーを用いたミニマル集光加熱炉を開発し、チャンバー内への大気成分の混入を抑制することで、熱酸化膜の薄膜化と膜質の向上を図った。