[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-4] Formation of TiN Films Using Minimal Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Hiroyuki Tanaka^1,2, Kazumasa Nemoto¹, Kazuhiro Koga², Yuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogho)

Keywords:minimal, TiN, reactive sputtering

フルミニマルプロセスでのTiNゲートCMOSデバイス実現のために、小型HiPIMS型ミニマル反応性スパッタ装置を開発した。TiターゲットとAr/N₂混合ガスを用いたTiN反応性スパッタにおける成膜レートや膜比抵抗の傾向、SEMで観察した結晶構造等から、メガファブ装置で形成したものと同等の膜質が得られる可能性が確認された。講演では、膜質や結晶構造についての詳細を議論する。