[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-5] Characterization of the minimal CVD tool in the hydrodynamic point of view

〇Yuuki Ishida^1,2, Takanori Mikahara¹, Noriko Miura², Shinichi Ikeda^1,2, Takahiro Ito³, Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.ORIENTAL MOTOR, 4.Yokohama National Univ.)

Keywords:CVD, Epitaxial growth, Minimal Fab

ミニマルCVD装置のレイノルズ数は1以下であり、通常のメガファブ用CVD装置のレイノルズ数に比べ2～4桁小さい。低レイノルズ数領域では、ガス流れは炉内内部構造に大きく影響され、メガファブ装置では見られない特異な流れが生じる。シミュレーションによりこのような現象を解析し、低レイノルズ数領域でのガス流れを明らかにする。