[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-7] ミニマル金属エッチング装置の開発とその評価

〇加瀬 雅¹、田中 宏幸^1,2、野沢 善幸³、速水 利泰³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ミニマル、金属膜エッチング、誘導結合プラズマ

産総研ではミニマル装置を開発してきており、ほぼ主要な装置は商用機として販売する段階に到達している。しかし、いくつかのプロセス装置では超小型が難しく、とりわけプラズマ装置では難易度が高い。今回、種々の問題を解決し金属膜のエッチングができるようになった。開発した装置のプラズマ源はICPを、ウェハー冷却には静電チャックを用いた。ガスはBCl3をわずか0.1sccm、圧力は1Paで処理した時、ALテーパ角80～85°の形状が得られ、ミニマル装置でのメタルエッチングが可能なことが確認できた。