[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-7] Development and Characterizaion Minimal Plasma tool for Metal Etching

〇Masashi Kase¹, Hiroyuki Tanaka^1,2, Yoshiyuki Nozawa³, Toshiyasu Hayami³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPP Technologies)

Keywords:minimal, metal etching, ICP

産総研ではミニマル装置を開発してきており、ほぼ主要な装置は商用機として販売する段階に到達している。しかし、いくつかのプロセス装置では超小型が難しく、とりわけプラズマ装置では難易度が高い。今回、種々の問題を解決し金属膜のエッチングができるようになった。開発した装置のプラズマ源はICPを、ウェハー冷却には静電チャックを用いた。ガスはBCl3をわずか0.1sccm、圧力は1Paで処理した時、ALテーパ角80～85°の形状が得られ、ミニマル装置でのメタルエッチングが可能なことが確認できた。