[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-9] ハーフインチサイズパッケージのレーザビア形成プロセス(II)

〇居村 史人^1,2、影山 智明^1,3、井上 道弘¹、猿渡 新水¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマル、3.鳥大)

キーワード：ミニマルファブ

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。本プロセスのレーザビア加工では、ビア底にモールド樹脂の残渣（スミア）や、モールド樹脂に含有しているガラス系の球状の粒（シリカフィラー）がビア底に残存しやすく、これらがビア底でのウェハ上電極パッドとCu配線との電気的接続を阻害する要因となっていた。今回、レーザビア加工プロセスとその後の洗浄プロセスを行い、ビアの電気的導通を評価したので報告する。