[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-D103-13] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析

〇(B)根本 宏樹¹、岡本 大¹、染谷 満²、木内 祐治²、畠山 哲夫²、原田 信介²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、酸化膜リーク電流