[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-6] SiCジャンクションレスMOSFETによるAl原子がチャネル移動度に与える影響の検証

〇武田 紘典¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：SiC MOSFET、Alイオン注入、電子移動度