17:20 〜 17:35 [20p-E301-9] リセスエッチング後のGaN表面処理 〇蔵口 雅彦1、彦坂 年輝1、新留 彩1、梶原 瑛祐1、加藤 大望1、大野 浩志1、向井 章1、布上 真也1 (1.東芝研究開発センター)