[20p-E301-1~9] Etching Technology for Nitride Semiconductors: recent progress in high-controllable and low-damaging process

[20p-E301-9] Surface Treatment of Recess-etched GaN

〇Masahiko Kuraguchi¹, Toshiki Hikosaka¹, Aya Shindome¹, Yosuke Kajiwara¹, Daimotsu Kato¹, Hiroshi Ono¹, Akira Mukai¹, Shinya Nunoue¹ (1.Corporate R&D Center, Toshiba Corp.)

Keywords:GaN, Etching, Surface treatment

ノーマリオフ動作を実現するために、ゲート部にエッチングにより、リセスを形成するMOS型デバイスが提案されている。しかし、エッチングに伴うダメージがリセスゲート下のGaN層に印加されるという課題がある。そこで、ダメージを回復する処理として、アンモニアガスを用いて、結晶性の回復する処理の検討を行い、MOS型デバイスにおいて、チャネル移動度の増大を確認した結果を報告する。