[20p-E301-1~9] Etching Technology for Nitride Semiconductors: recent progress in high-controllable and low-damaging process

[20p-E301-8] Reliability Improvement of GaN HEMT by Chlorine Neutral Beam Etching

〇Kenta Sugawara¹, Masaya Okada¹, Hiroyuki Ichikawa¹, Kazutaka Inoue¹, Daisuke Ohori², Seiji Samukawa^2,3 (1.Sumitomo Electric Industries, Ltd., 2.IFS, Tohoku Univ., 3.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Etching, Gallium Nitride, Neutral Beam

GaN HEMTミリ波帯応用のための薄層化・微細化によって、閾値変動等の信頼性課題が顕在化する。ゲート形成時の絶縁膜ドライエッチング加工損傷が要因と考えられ、塩素中性粒子ビームエッチング(Cl₂ NBE)法を用いた加工損傷低減を検討した。Cl₂ NBEで処理したデバイスは、一般的なCF₄プラズマエッチング品と比較して高温DC通電前後の閾値変動が殆どない。これはCl₂ NBE法が加工損傷を大幅に抑制し、信頼性向上に極めて有効なことを示すものである。