11:15 〜 11:30 [19a-E305-9] HfO2強誘電体トンネル接合メモリの書き換えサイクル特性向上 〇山口 まりな1、藤井 章輔1、株柳 翔一1、上牟田 雄一1、井野 恒洋1、中崎 靖1、高石 理一郎1、市原 玲華1、齋藤 真澄1 (1.東芝メモリ)