12:45 〜 13:00 [21p-E310-1] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における深さ方向のエッチング制御 〇清藤 泰旦1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大、2.東大生研)