10:00 〜 10:15 △ [21a-E310-5] ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価 〇濱地 威明1、藤元 聖人1、藤平 哲也1、林 侑介1、今西 正幸2、森 勇介2、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)