16:00 〜 16:15 △ [19p-E206-10] CMOSプロセス加工Siプラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si直接接合へのSi側ダミーパターンの影響 〇御手洗 拓矢1、稲村 美希3、阿部 智之3、守田 憲司1、雨宮 智宏1,2、西山 伸彦1,2 (1.東工大工、2.東工大 未来研、3.アユミ工業)