2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

Kang Hojun

→ Google ScholarでHojun Kangを検索

発表者・著者、共著者

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 C309 (C309)

  • 一般セッション(口頭講演)
  • | 8 プラズマエレクトロニクス
  • | 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-C309-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:00 〜 11:15

△ [18a-C309-7] F+ イオン照射によるY2O3表面層の変化

〇(M1)Kang Hojun1、Ito Tomoko1、Um Junghwan2、Kokura Hikaru2、Kang Taekyun2、Cho Sungil2、Park Hyunjung2、Isobe Michiro1、Karahashi Kazuhiro1、Hamaguchi Satoshi1 (1.Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Enginerring, Osaka Univ、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)