09:30 〜 11:30 [18a-PB3-12] リセス構造ノーマリーオンAlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電気的特性 〇佐藤 慧弥1、國友 俊佑1、清藤 泰旦1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大、2.東大生研)