[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-12] Electrical properties in recessed normally-on AlGaN/GaN HFETs

〇Keiya Satou¹, Syunsuke Kunitomo¹, Yasuharu Kiyotou¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Tech., 2.IIS,The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaN, FET

AlGaN/GaN ヘテロ構造FET（HFET）においてリセス構造は、特にノーマリーオフ型のデバイス動作を実現するためにゲート電極下に適用されることが多い。今回我々はリセス構造の適用可能性の拡大を念頭に、ソース・ドレイン間の全領域に浅いリセス構造を適用したノーマリーオン型のデバイスを作製したところ、この構造に特徴的な優位な特性が得られた。