15:15 〜 15:30 [21p-E301-7] 原子拡散接合によるGaN-on-GaN HEMT高放熱特性 〇岡本 直哉1,2、美濃浦 優一1,2、魚本 幸3、島津 武仁3 (1.富士通、2.富士通研究所、3.東北大学)