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[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

2019年9月19日(木) 13:15 〜 16:45 E308 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▼ [19p-E308-1] Large-Area 2D Heterostructures of Perovskite amd WS₂

〇(D)Ufuk Erkilic¹、Hyungoo Ji¹、Pablo Solis-Fernandez¹、Keisuke Shinokita²、Yung-Chang Lin³、Kazu Suenaga³、Susumu Okada⁴、Kazunari Matsuda²、Hiroki Ago¹ (1.Kyushu Univ.、2.Kyoto Univ.、3.AIST、4.Univ. Tsukuba)

13:30 〜 13:45

▲ [19p-E308-2] Chemical Vapor Deposition of 2D Transition Metal Dichalcogenides – Just Add Salts

〇(PC)Shisheng Li¹ (1.National Institute for Materials Science)

13:45 〜 14:00

[19p-E308-3] 金属原料を用いた二セレン化ハフニウム薄膜の作製

〇小澤拓真¹、阿部優¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2 (1.信州大工、2.先鋭材料研究所)

14:00 〜 14:15

[19p-E308-4] ミストCVDによって作製した硫化スズ(SnS_x)薄膜に対する硫黄前駆体が与える影響の検討

〇(DC)佐藤翔太¹、刘丽^1,2,3、鄧太江^1,2,3、川原村敏幸^1,2,3 (1.高知工大院基盤工、2.シス工、3.総研)

14:15 〜 14:30

△ [19p-E308-5] Coスパッタ条件によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の構造変化

〇日比野祐介^1,4、橋本侑祐¹、山崎浩多¹、小柳有矢¹、澤本直美¹、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長株式会社、4.学振特別研究員DC1)

14:30 〜 14:45

△ [19p-E308-6] スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS2膜

〇(D)濱田昌也¹、松浦賢太朗¹、宗田伊理也¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東京工業大学)

14:45 〜 15:00

[19p-E308-7] 硫化プロセスにおけるスパッタMoS₂膜質向上の重要性

〇今井慎也¹、濱田昌也¹、五十嵐智¹、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E308-8] その場観測による単層WS₂合成物理因子の直接計測

〇亀山智矢¹、李超¹、金子俊郎¹、加藤俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.JST さきがけ)

15:15 〜 15:30

[19p-E308-9] 溶液プロセスによるWS₂薄膜の作製

〇羽賀健一¹、中嶋崇博¹、小林祐貴¹、徳光永輔¹ (1.北陸先端大)

15:30 〜 15:45

[19p-E308-10] Si(111)微傾斜基板のオフ方向が2D-In₂Se₃薄膜の結晶方位に与える影響

〇川勝桂¹、Yu-Cian Wang¹、小島信晃¹、大下祥雄¹、山口真史¹ (1.豊田工大)

16:00 〜 16:15

[19p-E308-11] スパッタ法で合成したh-BN薄膜とその絶縁特性

〇近藤大雄^1,2、林賢二郎^1,2、片岡真沙子¹、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

16:15 〜 16:30

[19p-E308-12] エタノールを用いたGa触媒大気圧CVDによる2層グラフェン形成

〇辻友希¹、有馬健太¹、山村和也¹、川合健太郎¹ (1.大阪大学)

16:30 〜 16:45

[19p-E308-13] グラファイト上での単層六方晶窒化ホウ素単結晶の化学気相成長

〇荒井隼人¹、井ノ上泰輝¹、項栄¹、千足昇平¹、丸山茂夫^1,2 (1.東大工、2.産総研)

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[19p-E308-3] 金属原料を用いた二セレン化ハフニウム薄膜の作製

[19p-E308-4] ミストCVDによって作製した硫化スズ(SnS_x)薄膜に対する硫黄前駆体が与える影響の検討

△ [19p-E308-5] Coスパッタ条件によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の構造変化

△ [19p-E308-6] スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS2膜

[19p-E308-7] 硫化プロセスにおけるスパッタMoS₂膜質向上の重要性

△ [19p-E308-8] その場観測による単層WS₂合成物理因子の直接計測

[19p-E308-9] 溶液プロセスによるWS₂薄膜の作製

[19p-E308-10] Si(111)微傾斜基板のオフ方向が2D-In₂Se₃薄膜の結晶方位に与える影響

[19p-E308-11] スパッタ法で合成したh-BN薄膜とその絶縁特性

[19p-E308-12] エタノールを用いたGa触媒大気圧CVDによる2層グラフェン形成

[19p-E308-13] グラファイト上での単層六方晶窒化ホウ素単結晶の化学気相成長

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△ [19p-E308-5] Coスパッタ条件によるMoS2(1-x)Te2x混晶の構造変化

△ [19p-E308-6] スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS2膜

△ [19p-E308-8] その場観測による単層WS2合成物理因子の直接計測

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△ [19p-E308-5] Coスパッタ条件によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の構造変化

△ [19p-E308-8] その場観測による単層WS₂合成物理因子の直接計測