[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-B11-6] 新ばらつき設計手法を用いた強誘電体シャドーSRAMの再検討

〇竹内 潔¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：不揮発メモリ、強誘電体メモリ、ばらつき

近年のハフニウム系強誘電体の発見を踏まえ、かつて盛んに研究された強誘電体シャドーSRAMの可能性を再検討した。新たに考案したばらつき考慮設計手法を適用した解析より、ハフニウム系強誘電体を用いたシャドーSRAMは超低消費電力な不揮発メモリとして有望であることを明らかにした。