[18a-C309-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [18a-C309-7] Surface modification of Y₂O₃ by F⁺ ion irradiation

〇(M1)Hojun Kang¹, Tomoko Ito¹, Junghwan Um², Hikaru Kokura², Taekyun Kang², Sungil Cho², Hyunjung Park², Michiro Isobe¹, Kazuhiro Karahashi¹, Satoshi Hamaguchi¹ (1.Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Enginerring, Osaka Univ, 2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)

Keywords:Y2O3, F ion, Etching

反応性プラズマを用いた半導体製造装置では内部に部材としてY₂O₃, Al₂O₃等が使用しており、プラズマに曝されるこれらのセラミック材料の表面の変化および脱離する分子はプロセスの安定性に大きな影響を与えている。今回、我々はフッ素イオンによるY₂O₃表面の変化を、質量分離イオンビーム装置を用いたフッ素イオン照射実験および第一原理計算によって評価した。