[18a-C309-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [18a-C309-7] F⁺ イオン照射によるY₂O₃表面層の変化

〇(M1)Kang Hojun¹、Ito Tomoko¹、Um Junghwan²、Kokura Hikaru²、Kang Taekyun²、Cho Sungil²、Park Hyunjung²、Isobe Michiro¹、Karahashi Kazuhiro¹、Hamaguchi Satoshi¹ (1.Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Enginerring, Osaka Univ、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)

キーワード：Y2O3、フッ素イオン、エッチング

反応性プラズマを用いた半導体製造装置では内部に部材としてY₂O₃, Al₂O₃等が使用しており、プラズマに曝されるこれらのセラミック材料の表面の変化および脱離する分子はプロセスの安定性に大きな影響を与えている。今回、我々はフッ素イオンによるY₂O₃表面の変化を、質量分離イオンビーム装置を用いたフッ素イオン照射実験および第一原理計算によって評価した。