[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18a-E304-3] レーザーアニール法による低温多結晶Si薄膜の表面平坦化及びトランジスタの作製と評価

〇(M1)濱野 史暢¹、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：レーザーアニール、多結晶Si、TFT

低温ポリシリコン(LTPS)薄膜はTFTのチャネル材料として用いられている．エキシマレーザーアニーリング法を用いてLTPS薄膜を作成する際に結晶粒界で突起が形成され，TFT動作時にゲートリーク電流が生じることが問題となっている．本報告では，突起が形成されたLTPS薄膜にエキシマレーザーを追加照射することで突起の高さの低減と追加照射前後でのLTPS-TFTの特性の変化について報告する．