[18a-E311-1~9] 6.3 Oxide electronics

[18a-E311-8] Temperature dependence of electrical characteristics of (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100) junctions

〇Ryoichi Nemoto¹, Hiroshi Sakanaga¹, Yujun Zhang¹, Hiroki Wadati¹, Koji Arafune¹, Haruhiko Yoshida¹, Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:transition metal oxide, strong correlation, silicon

次世代の電子デバイス開発において、遷移金属酸化物の電子物性とシリコンエレクトロニクスを融合させることの重要性が益々大きくなっている。しかし、遷移金属酸化物の電子物性をシリコンデバイスに直接組み込んだ研究の報告は依然として少ない。我々はMott 絶縁体である(La_1-xSrx)VO₃(LSVO)とシリコンの直接接合構造を作製し、遷移金属酸化物とシリコンの機能融合を目指した研究を行ってきた。今回は、LSVO/p-Si(100)接合の電気特性の温度依存性を調査した。