[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [18p-B11-10] Ge清浄表面からのY₂O₃/Ge pMOSFETsの作製

〇(M1)石井 寛仁^1,2、石井 裕之²、帳 文馨²、森田 行則²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：ゲルマニウム、界面