[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-1] 2D-In₂Se₃を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離

〇小島 信晃¹、Wang Yu-Cian¹、川勝 桂¹、山本 暠勇¹、大下 祥雄¹、山口 真史¹ (1.豊田工大)

キーワード：薄層剥離、エピタキシャル成長、III-V薄膜太陽電池

GaAsなどの半導体基板上にエピタキシャル成長したIII-V族薄膜を剥離し、安価な基板に転写するELO技術は、高効率III-V族太陽電池の低コスト化を実現するための重要技術の一つとされている。我々は、In₂Se₃等の２次元層状化合物を安価なSi基板に成膜し、その上に成膜したGaAs層を層状化合物の劈開により剥離する研究を行い、2インチサイズの基板に成膜したGaAs層の高速剥離に成功した。