[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-10] 2ステップMBE成長によるGaSb(001)上InAsのピット形成の抑制

〇奥村 滋一^1,2、鈴木 僚¹、角田 浩司¹、西野 弘師¹、杉山 正和² (1.富士通研、2.東大先端研)

キーワード：分子線エピタキシー、ガリウムアンチモン、インジウムヒ素

GaSb/InAs材料は、中赤外線受光素子への適用が有望である。デバイス応用上、結晶欠陥の少ないヘテロ構造の形成が重要である。これまでに、低As₂圧下で良好なGaSb上InAs結晶が得られているが、生産性向上の観点で、より大きな成長トレランスの確保が必要である。そこで今回、InAsの成長温度/シーケンス依存性を検討した。その結果、低温/高温成長の2ステップ成長により、InAs層のピットの発生が抑制されることが判明した。