[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-15] 有機金属気相エピタキシー成長条件下でのGaNナノ構造の形状評価: Wulffの作図法による検証

〇瀬田 雄基¹、プラディプト アブドルムィッツ¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、Wulffの作図

本研究では、ファセットの形成機構およびアスペクト比の成長条件依存性を理論的に理解するために、様々な面方位における表面エネルギーを用いてWulffの作図を行い、平衡形状を構築することでナノ構造における形状予測および各形状におけるアスペクト比と成長条件との関係性を検討する。