[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-4] 2段階バッファ層を用いたメタモルフィックInAs/GaSb超格子の作製と評価

〇今村 優希¹、大濱 寛士¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：有機金属気相成長法、メタモルフィック

有機金属気相成長(MOVPE)を用いてGaAs基板上にメタモルフィックInAsの成長条件の検討を行った。AFMで測定した表面粗さは成長温度を下げることで減少した。また、低温成長後に高温成長をする2段階成長を行うことで表面粗さが改善された。GaAs基板上にInAsバッファ上InAs/GaSb超格子のPL測定をし3ミクロン帯での発行が観察できた。これらの技術は高性能な中赤外フォトニックデバイス実現につながる。