[18p-C309-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [18p-C309-11] HiPIMSを用いたTiNスパッタリングプラズマ中のイオンの挙動

〇(M2)中村 将之¹、竹田 圭吾¹、太田 貴之¹ (1.名城大理工)

キーワード：大電力パルススパッタリング、窒化チタン

HiPIMSを用いたTiN膜の成膜プロセスにおけるイオン化プロセスの解明を目指して，N₂/Arガス下におけるTi-HiPIMSプラズマ中のイオンエネルギー分布(IEDF)計測を，エネルギー分解質量分析法を用いて行った．印加電圧を増加させると，高エネルギーのTi⁺フラックスが増加し，エネルギー分布の形状が変化した．これによりガスの希薄化が顕著になることが示唆された．