[18p-C309-1~13] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[18p-C309-7] Fabrication and Refractive Index Control of SiO₂ by programmable RAS

〇Yasuhito Tanaka^1,2, Delgado-Fuentes Gabriel¹, Shinichiro Saisho², Hideo Isshiki¹ (1.UEC, 2.SHINCRON CO., LTD)

Keywords:Sputter

新開発した小型スパッタ装置プログラマブルRASは、電子シャッターにより各カソードのスパッタ時間とタイミング、反応ガス導入(ラジカル発生)時間とタイミングの個別制御を可能にし、対象薄膜に応じプログラマブルにスパッタシーケンスを組むことができる。本研究では、SiターゲットをDCパルススパッタしながら、酸素ガスをパルス導入してSiO2の作製を試みた。その結果、Siのスパッタ時間に対する特異な変化を示した。