[18p-C309-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18p-C309-7] プログラマブルRASによるSiO₂成膜と屈折率制御

〇田中 康仁^1,2、Delgado-Fuentes Gabriel¹、税所 慎一郎²、一色 秀夫¹ (1.電通大、2.シンクロン)

キーワード：スパッタリング

新開発した小型スパッタ装置プログラマブルRASは、電子シャッターにより各カソードのスパッタ時間とタイミング、反応ガス導入(ラジカル発生)時間とタイミングの個別制御を可能にし、対象薄膜に応じプログラマブルにスパッタシーケンスを組むことができる。本研究では、SiターゲットをDCパルススパッタしながら、酸素ガスをパルス導入してSiO2の作製を試みた。その結果、Siのスパッタ時間に対する特異な変化を示した。