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[18p-E304-2] プリアモルファス化Si中のフッ素によるホウ素拡散抑制
キーワード：拡散、シリコン、フッ素
BF2+イオン注入では，Fの存在がSi中のBの過渡的増速拡散を抑制することが知られているが，詳細な機構は明らかでなかった．これまでに我々は，Fの存在が空孔欠陥の放出を介してB拡散を抑制する機構とBと直接相互作用する機構それぞれが存在することを，Si安定同位体を用いた実験から明らかにした．本研究では，実験プロファイルを数値シミュレーション解析することで，拡散抑制機構の定量的なモデルを構築した．