[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-6] ミニマルCVD装置におけるジクロロシランを用いたシリコンエピタキシャル製膜

〇大谷 真奈¹、高橋 俊範¹、室井 光子¹、羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 有起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ケイ素、エピタキシャル成長、ジクロロシラン

半導体素子を無駄なく生産するため、小口径ウエハ(直径12.5 mm)を用いる「ミニマル・ファブ」が提案されている。シリコンエピタキシャル製膜について、既往の研究で用いたトリクロロシランの蒸気圧は室温付近で不安定で製膜速度のばらつきが大きいことが問題であったため、本研究では室温において気体であるジクロロシランを用いた製膜を試みた。