[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-9] ホット-ダブルSi⁺/C⁺イオン注入法を用いた酸化膜中のSiC量子ドットの形成

〇金澤 力斗¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード：半導体、SiC、量子ドット