[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-11] Reduction of plasma damage in N-polar GaN HEMT fabrication process

〇Akihiro Hayasaka¹, Ryosuke Aonuma¹, Koushi Hotta¹, Nanae Kanai¹, Isao Makabe², Shigeki Yoshida², Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

Keywords:N-polar GaN HEMT, plasma damage, annealing

N極性GaN HEMTは，抵抗が高いAlGaN（電子供給層）を介さずに2DEGへのコンタクトを取れ、電子供給層の厚みを任意に設計できるので、Ga極性GaN HEMTに比べ、低抵抗化、高電子濃度化に有利な可能性がある。一方で、N極性GaN HEMTは、プラズマや熱によってダメージを受けやすく、作製過程でシート抵抗が大きく劣化してしまうことを確認した。そこで、作製後のHEMTに対してアニールを行い、特性の変化を測定した。